科技 / 2026年10月22日 / 7 分钟阅读

三星与SK海力士在华NAND升级:设备进厂之后,还要看什么

工艺升级、许可范围和可交付存储容量是三件不同的事。判断供应影响,需要把层数放回良率、客户验证与产品成本之中。

作者 全球伯乐 News

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路透10月21日报道,三星与SK海力士确认正在更新中国工厂设备并与美国政府沟通。知情人士称,三星拟将西安工厂逐步升级至286层NAND,SK海力士希望在大连生产240层以上产品。西安工厂约占三星全球NAND产量的40%,但企业没有确认报道中的全部生产细节,相关美国许可的完整范围也未明。1

这条消息的意义,不只是层数变多。对于芯片购买方,更实际的问题是:工厂最后能以什么成本、在什么时间,交付多少满足要求的存储产品。设备、工艺和订单之间仍隔着若干需要验证的环节。

AI生成示意图:NAND制造升级与交付,非真实现场。

AI生成示意图:NAND制造升级与交付,非真实现场。

许可、升级与扩产不能画等号

美国商务部工业与安全局2025年8月公布的政策,取消部分外资在华晶圆厂的免许可安排,并区分维持现有运营与扩产、技术升级。该历史政策说明不能替代具体设备的最新批准文件。2

因此,设备开始安装,并不自动证明所有后续步骤都已获批;反过来,也不能仅凭一般政策就断言已披露的设备活动违规。要判断项目能走多远,应核对获准设备、用途与工艺范围,而不是从一句“正在沟通”推导出完整许可结论。

同样需要分开的,是晶圆投入量和最终存储容量。即使每月加工的晶圆数量不增加,单片芯片的有效容量提高,也可能改变产品供给;如果新工艺仍在爬坡,账面上的密度优势又未必立即成为可销售产品。把技术更新直接写成新增产能,会掩盖这两种不同情况。

层数有价值,但不是完整成绩单

三星2024年的技术发布把第九代V-NAND与双堆叠、沟道孔刻蚀联系起来;SK海力士同年的321层NAND发布则说明了多段孔结构连接与对准工艺。它们是技术背景,不是本次中国工厂进度证明。34

由此可以理解,垂直堆叠并非把现成芯片简单叠高。关键还在于制造结构是否稳定,能否持续产出合格器件。层数描述设计的一个维度,良率和可重复制造性才决定这种设计能否转换为规模化供应。

一个有用的比较方法,是同时看合格芯片数量、每颗芯片的可用容量,以及生产它们所消耗的资源。若只比较层数,就可能把复杂度上升带来的额外成本漏掉;若只看晶圆数量,又可能低估密度提高的作用。这里不能据公开层数估算两座工厂的良率或成本,它们尚无足够数据供这样的计算。

从闪存到服务器,还隔着产品选择

Solidigm的技术说明区分了每单元比特数与整盘耐久度,并用每天全盘写入次数和累计写入量衡量写入寿命。5 这提醒采购方:层数、容量和可承受的写入负荷,不是可以互相替代的指标。

对于读取为主的资料库和频繁改写的数据集,合适的产品组合可能不同。判断一轮制造升级的价值,需要回到客户实际任务:需要多大空间、允许多少等待、预计写入多少数据,以及验证后的产品能否稳定供货。不能把所有带有“AI”标签的需求视作同一种存储负载,更不能由某项工艺提升直接推出所有固态硬盘都会降价。

下一步应看可交付证据

这次报道提供了更新设备的信号,真正改变供给判断的仍是后续证据。许可边界决定哪些计划具备实施条件;工艺爬坡决定合格产出;产品验证和实际订单则决定新增能力能否转成收入。它们可以并行推进,却不能彼此代替。

从产业角度看,升级现有工厂的吸引力,是尝试改善既有资产能够提供的产品,而不是只靠增加厂房规模。不过,升级是否划算仍取决于投入、停线与爬坡代价,以及客户愿意为合格产品支付的价格。现阶段更稳妥的结论是供应能力正在争取改善,而不是改善已经实现;后续应关注稳定交付与产品组合,而非仅盯着下一次层数纪录。

来源与说明

  1. 2026-10-21 · Reuters · 原文标题: Samsung, SK Hynix upgrading China plants to make more advanced chips, people say. ↩

  2. 2025-08-29 · BIS · 原文标题: Department of Commerce Closes Export Controls Loophole for Foreign-Owned Semiconductor Fabs in China. ↩

  3. 2024-04-23 · Samsung · 原文标题: Samsung Electronics Begins Industry’s First Mass Production of 9th-Gen V-NAND. ↩

  4. 2024-11-21 · SK hynix · 原文标题: SK hynix Starts Mass Production of World’s First 321-High NAND. ↩

  5. 2023-07-17 · Solidigm · 原文标题: QLC NAND Technology Is Ready for Mainstream Use in the Data Center. ↩