科技 / 2026年10月22日 / 7 分鐘閱讀

三星與SK海力士在華NAND升級:設備進廠之後,還要看什麼

製程升級、許可範圍和可交付儲存容量是三件不同的事。判斷供應影響,需要把層數放回良率、客戶驗證與產品成本之中。

作者 全球伯樂 News

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路透10月21日報導,三星與SK海力士確認正在更新中國工廠設備並與美國政府溝通。知情人士稱,三星擬將西安工廠逐步升級至286層NAND,SK海力士希望在大連生產240層以上產品。西安工廠約占三星全球NAND產量的40%,但企業沒有確認報導中的全部生產細節,相關美國許可的完整範圍也未明。1

這則消息的意義,不只是層數變多。對於晶片採購方,更實際的問題是:工廠最後能以什麼成本、在什麼時間,交付多少符合要求的儲存產品。設備、製程和訂單之間仍隔著若干需要驗證的環節。

AI生成示意圖:NAND製造升級與交付,非真實現場。

AI生成示意圖:NAND製造升級與交付,非真實現場。

許可、升級與擴產不能畫等號

美國商務部工業與安全局2025年8月公布的政策,取消部分外資在華晶圓廠的免許可安排,並區分維持現有營運與擴產、技術升級。該歷史政策說明不能替代具體設備的最新核准文件。2

因此,設備開始安裝,並不自動證明所有後續步驟都已獲批;反過來,也不能僅憑一般政策就斷言已披露的設備活動違規。要判斷專案能走多遠,應核對獲准設備、用途與製程範圍,而不是從一句「正在溝通」推導出完整許可結論。

同樣需要分開的,是晶圓投入量和最終儲存容量。即使每月加工的晶圓數量不增加,單顆晶片的有效容量提高,也可能改變產品供給;如果新製程仍在爬坡,帳面上的密度優勢又未必立即成為可銷售產品。把技術更新直接寫成新增產能,會掩蓋這兩種不同情況。

層數有價值,但不是完整成績單

三星2024年的技術發布把第九代V-NAND與雙堆疊、通道孔蝕刻聯繫起來;SK海力士同年的321層NAND發布則說明了多段孔結構連接與對準製程。它們是技術背景,不是本次中國工廠進度證明。34

由此可以理解,垂直堆疊並非把現成晶片簡單疊高。關鍵還在於製造結構是否穩定,能否持續產出合格元件。層數描述設計的一個維度,良率和可重複製造性才決定這種設計能否轉換為規模化供應。

一個有用的比較方法,是同時看合格晶片數量、每顆晶片的可用容量,以及生產它們所消耗的資源。若只比較層數,就可能把複雜度上升帶來的額外成本漏掉;若只看晶圓數量,又可能低估密度提高的作用。這裡不能據公開層數估算兩座工廠的良率或成本,它們尚無足夠資料供這樣的計算。

從快閃記憶體到伺服器,還隔著產品選擇

Solidigm的技術說明區分了每單元位元數與整碟耐久度,並用每天全碟寫入次數和累計寫入量衡量寫入壽命。5 這提醒採購方:層數、容量和可承受的寫入負荷,不是可以互相替代的指標。

對於讀取為主的資料庫和頻繁改寫的資料集,合適的產品組合可能不同。判斷一輪製造升級的價值,需要回到客戶實際任務:需要多大空間、允許多少等待、預計寫入多少資料,以及驗證後的產品能否穩定供貨。不能把所有帶有「AI」標籤的需求視作同一種儲存負載,更不能由某項製程提升直接推出所有固態硬碟都會降價。

下一步應看可交付證據

這次報導提供了更新設備的訊號,真正改變供給判斷的仍是後續證據。許可邊界決定哪些計畫具備實施條件;製程爬坡決定合格產出;產品驗證和實際訂單則決定新增能力能否轉成收入。它們可以並行推進,卻不能彼此代替。

從產業角度看,升級現有工廠的吸引力,是嘗試改善既有資產能夠提供的產品,而不是只靠增加廠房規模。不過,升級是否划算仍取決於投入、停線與爬坡代價,以及客戶願意為合格產品支付的價格。現階段更穩妥的結論是供應能力正在爭取改善,而不是改善已經實現;後續應關注穩定交付與產品組合,而非僅盯著下一次層數紀錄。

來源與說明

  1. 2026-10-21 · Reuters · 原文標題: Samsung, SK Hynix upgrading China plants to make more advanced chips, people say. ↩

  2. 2025-08-29 · BIS · 原文標題: Department of Commerce Closes Export Controls Loophole for Foreign-Owned Semiconductor Fabs in China. ↩

  3. 2024-04-23 · Samsung · 原文標題: Samsung Electronics Begins Industry’s First Mass Production of 9th-Gen V-NAND. ↩

  4. 2024-11-21 · SK hynix · 原文標題: SK hynix Starts Mass Production of World’s First 321-High NAND. ↩

  5. 2023-07-17 · Solidigm · 原文標題: QLC NAND Technology Is Ready for Mainstream Use in the Data Center. ↩